昕原半导体(上海)有限公司曹恒获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238402.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法是由曹恒;仇圣棻设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法及阵列，将p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将第一个二极管的p型端与第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与RRAM器件相连以形成RRAM阵列；其中，两个二极管和一个RRAM器件连结组成RRAM阵列中的存储单元；而后按照预设的操作表使RRAM阵列做读取、写入、擦除操作，如此，由于n阱与p阱存在反偏效应，两者的反偏击穿电压一般在10V以上，远远满足RRAM5V的应用场景，同时将每个二极管的阱端引出，降低阱作为字线和RESET线的电阻，从而降低IRDROP及增大驱动电流，并且采用与现有技术不同的2D1R操作方法，主动设定未选中位线，字线与RESET线的电压，提高器件的抑制性能。
本发明授权基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，包括： 通过离子注入形成n阱与p阱，并基于所述n阱与p阱通过刻蚀工艺形成深沟区和浅沟区，对所述浅沟区进行研磨填充以将所述n阱与p阱隔离形成n阱区域与p阱区域； 在所述n阱区域与所述p阱区域中分别进行离子注入以形成n+有源区和p+有源区； 将所述n+有源区所在的第一个二极管通过CT与字线相连接；将所述p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将所述第一个二极管的p型端与所述第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与RRAM器件相连以形成RRAM阵列；其中，两个二极管和一个RRAM器件连结组成所述RRAM阵列中的存储单元； 按照预设的操作表使所述RRAM阵列做读取、写入、擦除操作。
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