长江先进存储产业创新中心有限责任公司周光乐获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其控制方法和制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210210580.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权相变存储器及其控制方法和制作方法是由周光乐;杨海波;刘峻设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其控制方法和制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种相变存储器及其控制方法和制作方法，所述相变存储器包括：沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面、且彼此垂直，所述相变存储单元垂直于所述第一导电线和所述第二导电线；所述相变存储单元至少包括：沿所述第一方向依次层叠设置的第一电极层、第一变温层、相变存储层以及第二变温层；其中，所述第一变温层和所述第二变温层的塞贝克系数相反，用以对所述相变存储层进行加热或者降温。
本发明授权相变存储器及其控制方法和制作方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面、且彼此垂直，所述相变存储单元垂直于所述第一导电线和所述第二导电线； 所述相变存储单元至少包括：沿所述第一方向依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、第一变温层、相变存储层、第二变温层以及第三电极层；其中，所述第一变温层和所述第二变温层的塞贝克系数相反，用以对所述相变存储层进行加热或者降温；所述相变存储层的组成材料包含Ge-Sb-Te合金；所述第一变温层包含p型掺杂的锗，所述第二变温层包含n型掺杂的锗，或者， 所述第一变温层包含n型掺杂的锗，所述第二变温层包含p型掺杂的锗。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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