福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210125492.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构及其制作方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，包含一衬底，具有多个凹槽与有源区、多条位线沿着一第一方向等间隔排列在该存储单元区上并往一与该第一方向正交的第二方向延伸，且该位线经由一该凹槽电性连接到该衬底中的一有源区、以及一虚设位线，位于该些位线在该第一方向上的一最外侧并往该第二方向延伸，其中，该虚设位线在该第一方向上的宽度大于该些位线在该第一方向上的宽度，并且该虚设位线的底部不在同一水平面，该虚设位线与该些位线具有同样的组成与层结构。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 一衬底，该衬底上界定有一存储单元区，且该衬底更具有多个凹槽与有源区； 多条位线，沿着一第一方向等间隔排列在该存储单元区上并往一与该第一方向正交的第二方向延伸；以及 一虚设位线，位于该些位线在该第一方向上的一最外侧并往该第二方向延伸， 其中，该虚设位线在该第一方向上的宽度大于该些位线在该第一方向上的宽度，并且该虚设位线的底部不在同一水平面； 该些位线与该虚设位线具有同样的组成与层结构，其从该衬底往上依序包含一接触层、一导电层以及一硬掩膜层，该位线的该接触层位在一该凹槽中并经由该凹槽电性连接到一该有源区且与该凹槽的侧壁形成一第一沟槽，该虚设位线的部分的该接触层位于一该凹槽中并与一该有源区电性连接且与该凹槽的侧壁形成一第二沟槽，其中，该第二沟槽的深度低于该第一沟槽的深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励