环球晶圆股份有限公司温禅儒获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210103484.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶片是由温禅儒;张志暐;周素莲设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶片，包括环状部分以及加工部分。加工部分连接环状部分。加工部分具有经研磨的顶面以及相对于顶面的底面。加工部分被环状部分所环绕。顶面连接环状部分的区域为朝上弯曲的弧面。
本发明授权晶片在权利要求书中公布了：1.一种晶片，包括： 环状部分；以及 加工部分，连接所述环状部分，其中所述加工部分具有经研磨的顶面以及相对于所述顶面的底面，且所述加工部分被所述环状部分所环绕，其中所述加工部分连接所述环状部分的位置的最大厚度为TE微米，所述加工部分的宽度为L毫米，所述加工部分位在与所述环状部分距离0.15L以内的部分定义为边缘区域，其中所述顶面连接所述环状部分的区域为朝上弯曲的弧面，所述弧面位于所述边缘区域中，且所述弧面使所述加工部分在连接所述环状部分的所述边缘区域中的厚度随着远离所述环状部分而减少，且其中所述弧面的水平宽度为X，且0.01L≤X≤0.15L，且其中所述弧面的R角的曲率半径为CR，0.01L≤CR≤L，所述加工部分位在与所述环状部分距离0.15L至0.3L的部分定义为第一区域，所述加工部分位在与所述环状部分距离0.3L至0.5L的部分定义为第二区域，其中所述加工部分最薄的部分位于所述第一区域中，且所述加工部分最薄的部分的厚度为TL微米，其中所述加工部分位于所述第二区域中最厚的部分的厚度为TH微米，其中TE-TL大于或等于4微米，其中所述环状部分的厚度为RimH微米，且TH为0.1RimH至0.7RimH，其中TE大于TH，且TH大于TL。
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