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龙图腾网获悉全讯射频科技(无锡)有限公司申请的专利一种滤波器芯片晶圆等离子切割的预处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210084601.X，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种滤波器芯片晶圆等离子切割的预处理方法是由杨昊东设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种滤波器芯片晶圆等离子切割的预处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种滤波器芯片晶圆等离子切割的预处理方法，其可以保证保护液可以涂覆均匀，使得后续激光切割的槽宽度一致，有效防止搭桥现象产生，提高了芯片良率。其通过两部旋涂保护液的方式，不仅使得保护液均匀密制的涂覆，同时可以使得气泡现象大幅减小，由气泡产生的蚀刻黑点也下降90%左右，有效保证了后续切割的质量。

本发明授权一种滤波器芯片晶圆等离子切割的预处理方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器芯片晶圆等离子切割的预处理方法，其特征在于：其包括以下步骤： 步骤1、将滤波器芯片晶圆的预切割面朝上，其底部连接EGT复合膜层，复合膜层底部设有晶圆环形支架； 步骤2、将经步骤1处理的滤波器晶圆固定安装于晶圆转盘上，先控制晶圆转盘以5rpms低速空转10s，然后开启保护液喷头，向滤波器芯片晶圆表面喷射5~30ml保护液后关闭保护液喷头，再将晶圆转盘加速到2000rpms，并保持30s，再开启去离子水喷头，清洗滤波器晶圆表面，使滤波器晶圆表面的保护液形成均匀的薄层，此时晶圆转盘的转速为400rpms，时间为60s，然后调节晶圆转速至5rpms后，最后再次开启保护液喷头，喷射15~90ml保护液后关闭保护液喷头，控制晶圆转盘均匀加速至200rpms、400rpms及800rpms，且相应的保持时间依次为30s、30s、150s，滤波器晶圆表面的保护液层厚度为1μm~15μm； 步骤3、将经步骤2处理的滤波器晶圆，采用激光两步开槽法沿其横向、纵向预切割道进行开槽，开槽宽度为5μm~30μm，开槽深度为2-3um; 在步骤2中，保护液喷射速度为0.5mls~1.0mls，保护液采用聚乙烯醇类或聚醚类保护液中的一种； 在步骤3中，两步开槽法为先对滤波器晶圆表面采用红外激光定位后，再对滤波器晶圆表面的横向或纵向切割道先分别进行一次开槽后，再重复上述操作，即对前一次开槽位置处再进行二次开槽，以保证开槽的效果； 所述EGT复合膜层为聚甲基丙烯酸类或者硅胶类的一种。

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