上海华虹宏力半导体制造有限公司罗志永获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210098885.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法是由罗志永;余长敏;刘宇设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽功效器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有器件区和电极连接区，所述器件区内具有第一沟槽，所述电极连接区内具有若干第二沟槽；源极多晶硅层，位于所述第二沟槽内，并充满所述第二沟槽；屏蔽栅，填充所述第一沟槽的部分深度；第一介质层，充满与所述第二沟槽相邻的至少一个所述第一沟槽，并填充剩余的所述第一沟槽的部分深度；栅极多晶硅层，位于剩余的填充所述第一沟槽的剩余深度；第一金属布线层，位于所述第一介质层上，并与所述栅极多晶硅层及所述源极多晶硅层电性连接。将发生侧向刻蚀的所述第一沟槽与剩余的所述栅极多晶硅层与所述源极多晶硅层绝缘，从根本上避免了侧向刻蚀可能导致的器件短路现象。
本发明授权一种屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有器件区和电极连接区，所述器件区内具有若干第一沟槽，所述电极连接区内具有若干第二沟槽； 源极多晶硅层，位于所述第二沟槽内，并充满所述第二沟槽； 屏蔽栅，位于所述第一沟槽内，并填充所述第一沟槽的部分深度； 第一介质层，充满与所述第二沟槽相邻的至少一个所述第一沟槽，并填充剩余的所述第一沟槽的部分深度，其中，通过改变所述第一介质层的刻蚀范围，使侧向刻蚀发生在与所述第二沟槽相邻的所述第一沟槽中，并使发生侧向刻蚀的所述第一沟槽与栅极多晶硅层及所述源极多晶硅层绝缘； 栅极多晶硅层，填充剩余的所述第一沟槽的剩余深度； 第一金属布线层，位于所述衬底上，并与所述栅极多晶硅层及所述源极多晶硅层电性连接。
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