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龙图腾网获悉至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111677872.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法是由邓信甫;黄茂烘;张九勤设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，涉及到半导体技术领域，包括：S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，进行所述晶圆的中心、所述晶圆的外缘以及所述晶圆与所述清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化；S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向所述晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，将液体的流动与处理能力集中在所述晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动；S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制。本发明中通过对晶圆的流场的优化控制，利用热风喷向晶圆表面及边缘区域，控制晶圆的表面及边缘区域温度，破坏结晶的基础条件，从而避免晶圆的表面及边缘区域出现结晶现象，提高清洗效果。

本发明授权一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法在权利要求书中公布了：1.一种避免高温化学品蚀刻反应喷淋过程结晶形成的方法，其特征在于，包括： S1、进行晶圆的分布式阶段性控制，将所述晶圆放置在清洗腔体内的晶圆承载平台上，进行所述晶圆的中心、所述晶圆的外缘以及所述晶圆与所述清洗腔体之间的间隔三个不同位置的差异优化，产生不同强度的排气分布，以形成梯度强度流场； S2、进行晶圆的差异化热流分布，通过纯净空气吹送单元向所述晶圆的上表面输送热风吹送进行气流增速，并保持所述晶圆底部中心位置处于常温状态，所述晶圆的边缘位置进行增温，以将液体的流动与处理能力集中在所述晶圆外缘位置并促进阶梯化强对流的方式进行流动； S3、进行晶圆的三维方向的表面温度控制，通过全面性的晶圆接触与气氛环境的加温气流进行所述晶圆的上表面、所述晶圆的下表面以及所述晶圆的边缘区域进行加温的动作； 在所述晶圆的下表面的所述晶圆承载平台中心位置配置热气流喷流，以及对应所述晶圆承载平台在相对所述晶圆内径区域34相对位置配置环型排列的倾斜角喷流孔。

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