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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;天津城建大学申请的专利一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114184303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111629595.3，技术领域涉及：G01K11/324；该发明授权一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统是由刘德峰;李欣;杨羽;张守超;高云端;黄漫国设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统，包括：对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体；对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体；基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数；获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线；获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱，基于所述实时拉曼图谱，结合所述拟合曲线，得到待测位置的温度值。本发明具有测量精度高和测量速度快的优点，同时提高了温度测量上限，能适应各种超高温测量场景。

本发明授权一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法，其特征在于，包括： 对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体； 对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体； 基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数； 获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线； 获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱，基于所述实时拉曼图谱，结合所述拟合曲线，得到待测位置的温度值； 其中，所述对所述辐照碳化硅晶体进行若干个温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体，包括： 对所述辐照碳化硅晶体进行分割，得到M个分割碳化硅晶体；M为退火温度的数量，M为大于1的正整数； 对每个所述分割碳化硅晶体进行不同退火温度的退火处理，每个所述分割碳化硅晶体的退火温度都不同，得到M个分割退火碳化硅晶体，所述退火碳化硅晶体包括M个分割退火碳化硅晶体； 所述基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数，具体为： 对每个所述分割退火碳化硅晶体选取N个测试点，均基于拉曼光谱仪得到N个所述拉曼图谱，P＝M×N。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;天津城建大学，其通讯地址为：101111 北京市朝阳区东环南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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