京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司高涌佳获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111561581.2，技术领域涉及：G01N27/626；该发明授权用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法是由高涌佳;魏秋旭;姚文亮;杨莉;赵莹莹;古乐;樊博麟设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法，用于飞行时间质谱检测的芯片包括：基底层，基底层的一侧设有导电层，基底层背离导电层的一侧设有疏水层，疏水层具有阵列排布的多个通孔；基底层包括玻璃基底，玻璃基底背向导电层的一面经羟基化处理形成亲水层；或者，基底层包括层叠设置的玻璃基底和亲水层，亲水层位于导电层和玻璃基底之间。本发明中芯片采用玻璃基底，成本低；其中导电层确保该芯片可用于质谱检测；在玻璃基底背向导电层的一侧依次设有亲水层和疏水层，设置在疏水层上的通孔露出亲水层，可以稳定承载基质溶液和待测样品，该芯片结构简单、成本低且为一次性使用，能够有效避免样品污染影响质谱结果的问题。
本发明授权用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.用于飞行时间质谱检测的芯片，其特征在于，包括：基底层，所述基底层的一侧设有导电层，所述基底层背离所述导电层的一侧设有疏水层，所述疏水层具有阵列排布的多个通孔； 所述基底层包括玻璃基底，所述玻璃基底背向所述导电层的一面经羟基化处理形成亲水层； 所述导电层的材质为氧化铟锡，所述导电层是在所述玻璃基底的一侧通过磁控溅射工艺形成，所述磁控溅射工艺的磁控溅射功率为80瓦至120瓦，压力为0.5Pa-0.9Pa，溅射时间为15min至25min。
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