南京大学张丽敏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种低噪声高带宽的电流传感芯片设计获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114036880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111323210.0，技术领域涉及：G06F30/32；该发明授权一种低噪声高带宽的电流传感芯片设计是由张丽敏;熊朗;高嵩;李卓航;徐子然;闫锋设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低噪声高带宽的电流传感芯片设计在说明书摘要公布了：本发明提出了一种低噪声高带宽的电流传感芯片，其特征在于，包括低噪声甲乙类运算放大器A1和由反向放大器B与电流衰减器C所组成的高性能伪电阻RF。其显著优势在于本发明提出的电流传感芯片设计可以在芯片内小面积上实现等效的大阻值反馈电阻，提供高达1GΩ的跨阻增益，同时相对于片外电阻，具有低噪声，小面积，线性度好和宽调节范围等优点，可以实现16kHz的信号带宽以及带宽下等效噪声电流有效幅值为0.7pA，适合于在芯片内部实现高跨阻增益、高带宽和低噪声的电流探测。
本发明授权一种低噪声高带宽的电流传感芯片设计在权利要求书中公布了：1.一种低噪声高带宽的电流传感芯片，其特征在于，包括低噪声甲乙类运算放大器A1、A2和A3，电阻R1、R2和R3，NMOS管M0和M2，PMOS管M1和M3以及反馈电容CF，提供3个信号端口，输入电流端Iin，连接输入电容为Cs的电流信号源，偏置电压端VCMD，用于调节输入端的偏置电压，和输出电压端VO；电阻R1和R2以及低噪声甲乙类运算放大器A2构成一级反相放大器B，电阻R3，NMOS管M0和M2，PMOS管M1和M3和低噪声甲乙类运算放大器A3构成一级电流衰减器C；一级反相放大器B和一级电流衰减器C一起构成高性能伪电阻RF；所述低噪声甲乙类运算放大器A1、A2和A3由一级折叠共源共栅放大器和一级推挽放大器构成，A1反相输入端连接输入电流端Iin，其同相输入端连接偏置电压端VCMD，输出端连接输出电压端VO；所述一级反相放大器B的输出端VX连接一级电流衰减器C的输入端，一级电流衰减电路C的输出端连接输入电流端Iin，一级反相放大器B的同相输入端和一级电流衰减器C的同相输入端均连接偏置电压VCMD。
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