华虹半导体(无锡)有限公司霍文获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利相变温度的监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111304489.8，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权相变温度的监控方法是由霍文;郑刚设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变温度的监控方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种应用于镍硅层制备工艺中的相变温度的监控方法，包括：获取第一阻值，第一阻值是第一薄膜层在第一预设温度下进行热处理时的方块电阻，第一薄膜层形成于第一衬底上，第一薄膜层包括氮化钛层和钛层，第一衬底包括硅；获取第二阻值，第二阻值是第二薄膜层在第二预设温度下进行热处理时的方块电阻，第二薄膜层形成于第二衬底上，第二薄膜层包括氮化钛层和钛层，第二衬底包括硅，第一预设温度和第二预设温度不相等；根据第一阻值和第二阻值的差值对热处理的温度进行监控。本申请通过获取不同预设温度下薄膜层的方块电阻，根据方块电阻差值对热处理的温度进行监控，提高了相变温度监控的准确度。
本发明授权相变温度的监控方法在权利要求书中公布了：1.一种相变温度的监控方法，其特征在于，所述方法应用于镍硅层的制备工艺中，所述方法包括： 获取第一阻值，所述第一阻值是第一薄膜层在第一预设温度下进行热处理时的方块电阻，所述第一薄膜层形成于第一衬底上，所述第一薄膜层包括氮化钛层和钛层，所述第一衬底包括硅； 获取第二阻值，所述第二阻值是第二薄膜层在第二预设温度下进行所述热处理时的方块电阻，所述第二薄膜层形成于第二衬底上，所述第二薄膜层包括氮化钛层和钛层，所述第二衬底包括硅，所述第一预设温度和所述第二预设温度不相等； 根据所述第一阻值和所述第二阻值的差值对所述热处理的温度进行监控。
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