中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司钟怡获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111257050.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构及其形成方法是由钟怡;董天化设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第一区、第二区和第三区表面具有第一氧化层；在所述第一氧化层表面形成掩膜材料层；对所述掩膜材料层进行第一次图形化步骤，减薄第二区和第三区的掩膜材料层的厚度，形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行第二次图形化步骤，形成掩膜层，所述掩膜层内具有掩膜开口；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述第一氧化层，形成隧穿层开口；在所述隧穿层开口内形成隧穿层，并且，所述隧穿层的厚度小于所述隧穿层开口的深度。所述形成方法能够提高所形成的半导体结构的集成度和性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相邻且沿第一方向排布的第一区、第二区和第三区，所述第一区、第二区和第三区表面具有第一氧化层； 在所述第一氧化层表面形成掩膜材料层； 对所述掩膜材料层进行第一次图形化步骤，在垂直于衬底表面的方向上，减薄第二区和第三区的掩膜材料层的厚度，形成初始掩膜层； 对所述初始掩膜层进行第二次图形化步骤，形成掩膜层，所述掩膜层内具有掩膜开口，所述掩膜开口底部暴露出第二区上的第一氧化层表面； 以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述第一氧化层，在所述第一氧化层内形成隧穿层开口，所述隧穿层开口底部暴露出所述第二区表面； 在所述隧穿层开口内形成隧穿层，并且，所述隧穿层的厚度小于所述隧穿层开口的深度。
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