华羿微电子股份有限公司常虹获国家专利权
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龙图腾网获悉华羿微电子股份有限公司申请的专利分立栅极沟槽MOSFET的布局架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111165256.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权分立栅极沟槽MOSFET的布局架构是由常虹;苏毅设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本分立栅极沟槽MOSFET的布局架构在说明书摘要公布了：本申请公开一种屏蔽栅极沟槽MOSFET的布局架构，包括：第一极性高度掺杂衬底与其上生长的第一极性的外延层；形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括：位于有源区中且为平行的多个有源栅极沟槽；环绕于所述有源区外围且与部分有源栅极沟槽形成间隔连接的终端沟槽，与环设于终端沟槽外的沟槽保护环。其中，终端沟槽与不连接的有源栅极沟槽的外缘，形成相等台面宽度。
本发明授权分立栅极沟槽MOSFET的布局架构在权利要求书中公布了：1.一种分立栅极沟槽MOSFET的布局架构，其特征在于，包括： 高度掺杂衬底，其包含第一极性； 包含所述第一极性的外延层，其在所述高度掺杂衬底上生长； 形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括： 位于有源区且为平行设置的多个有源栅极沟槽； 环绕于所述有源区外围且设置于终端区的终端沟槽，所述终端沟槽内设置有多晶硅，所述终端沟槽在不与所述多个有源栅极沟槽为平行的方向上，间隔的与所述多个有源栅极沟槽的部分沟槽连接，且与不连接所述多个有源栅极沟槽的部分沟槽的外缘形成相同的台面宽度； 多个沟槽保护环，环绕于所述有源区外围且设置于终端区，所述多个沟槽保护环的沟槽内设置有多晶硅； 所述终端沟槽与所述多个有源栅极沟槽的部分沟槽连接，其延伸形状为波纹形状； 所述多个沟槽保护环的一个或多个，与所述终端沟槽为形状等同；所述多个沟槽保护环与所述终端沟槽形成平行布置，沟槽保护环延伸形状为波纹型； 所述多个沟槽保护环邻近所述终端沟槽的一者与所述终端沟槽之间形成第一台面宽度，所述第一台面宽度与所述台面宽度为相同或相异； 所述多个沟槽保护环之间形成第二台面宽度，所述第二台面宽度与所述台面宽度为相同或相异。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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