盖列斯特有限公司B·C·阿科勒斯获国家专利权
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龙图腾网获悉盖列斯特有限公司申请的专利碳化硅薄膜及其气相沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180066172.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权碳化硅薄膜及其气相沉积方法是由B·C·阿科勒斯;A·E·卡洛耶罗斯设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅薄膜及其气相沉积方法在说明书摘要公布了：提供了一种气相沉积工艺，用于生长沉积的无氢碳化硅SiC和包含氧的SiC薄膜SiC:O。为了制备SiC薄膜，该方法包括向包含加热基底的反应区提供在有或没有稀释气体的气相中的硅烷烃前体，如TSCH1,3,5‑三硅杂环己烷，以使在不与任何其他反应性化学物种或共反应物接触的情况下，前体在基底表面发生吸附和分解，以形成化学计量的、无氢的硅和碳原子比为1:1的碳化硅SiC。对于SiC:O膜，将氧源添加到反应区以向SiC膜掺杂氧。在硅烷烃前体中，每个碳原子都与两个硅原子键合，每个硅原子还与两个或更多个氢原子键合。
本发明授权碳化硅薄膜及其气相沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种在沉积室反应区的基底上制备含有不超过1原子％氢的沉积SiC薄膜的方法，所述方法包括: 在沉积室的反应区中提供基底； 将基底加热到700℃至850℃的温度；和 向包含温度在700℃至850℃的基底的反应区提供在没有载气的气相中的包含硅烷烃的前体，所述的前体包括1,3,5,7-四硅杂壬烷、三环[3,3,1,13,7]五硅烷、1,3-二硅杂环丁烷、1,3,5-三硅杂环己烷TSCH或1,3,5,7-四硅杂环辛烷； 其中，在沉积室中保持所述前体的分压为反应区总压力的10％至100％；并且 其中，通过所述前体的吸附和分解在基底表面形成SiC层； 其中，在不存在任何其他反应性化学物种或共反应物的情况下，吸附和分解发生在基底表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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