长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067637.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其形成方法是由卢经文;王晓玲设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成多个有源区及多个凹槽，所述凹槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述有源区沿第一方向延伸，所述第一凹槽位于沿所述第一方向平行排布且相邻的两个所述有源区之间，所述第二凹槽位于所述第一凹槽下方和部分所述有源区下方，且所述第二凹槽的内径大于所述第一凹槽的内径；填充所述凹槽，形成具有空气隙的填充层，所述空气隙至少位于所述第二凹槽内。本发明阻挡了相邻有源区之间电子的迁移，减轻了行锤击效应的影响，改善了半导体结构的良率及性能可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 刻蚀所述衬底，形成多个有源区及多个凹槽，所述凹槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述有源区沿第一方向延伸，所述第一凹槽位于沿所述第一方向平行排布且相邻的两个所述有源区之间，所述第二凹槽位于所述第一凹槽下方和部分所述有源区下方，且所述第二凹槽的内径大于所述第一凹槽的内径； 填充所述凹槽，形成具有空气隙的填充层，所述空气隙至少位于所述第二凹槽内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励