环球晶圆股份有限公司庄志远获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110977082.5，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体装置及其制造方法是由庄志远;吴华特;施英汝设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括一半导体基板、至少一半导体器件、一正面源极接点以及一背面接点金属层。半导体基板具有一基板通孔，所述半导体基板包括一高阻碳化硅外延层以及形成于高阻碳化硅外延层的第二表面的氮化镓外延层。半导体器件形成于氮化镓外延层。正面源极接点形成于氮化镓外延层的表面并覆盖半导体基板的基板通孔。背面接点金属层形成于半导体基板的基板通孔内，并与正面源极接点直接接触。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基板，具有基板通孔，所述半导体基板包括： 高阻碳化硅外延层，具有第一表面与第二表面，所述第一表面相对于所述第二表面，所述高阻碳化硅外延层的厚度变化率在5％～10％；以及 氮化镓外延层，形成于所述高阻碳化硅外延层的所述第二表面； 至少一半导体器件，形成于所述氮化镓外延层； 正面源极接点，形成于所述氮化镓外延层的表面并覆盖所述半导体基板的所述基板通孔；以及 背面接点金属层，形成于所述半导体基板的所述基板通孔内，并与所述正面源极接点直接接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人环球晶圆股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励