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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110930649.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由王晓玲;洪海涵;黄俊杰;陈诚设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底及设置在衬底上的初始沟槽；形成第一接触部，第一接触部覆盖初始沟槽的底壁和部分侧壁，第一接触部具有第一沟槽，以垂直于衬底且垂直于第一接触部的延伸方向的平面为纵截面，第一沟槽的顶部开口在纵截面上的投影尺寸大于第一沟槽的底壁在纵截面上的投影尺寸；形成第二接触部，第二接触部填充第一沟槽，以及初始沟槽内未被第一接触部覆盖的区域，第一接触部和第二接触部形成接触结构。在本公开中，接触结构的填充效果好、没有填充空隙，半导体结构的良率高、导电性好。

本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 所述半导体结构的制作方法包括： 提供初始结构，所述初始结构包括衬底，以及设置在所述衬底上的初始沟槽； 形成第一接触部，所述第一接触部覆盖所述初始沟槽的底壁和部分侧壁，所述第一接触部具有第一沟槽，以垂直于所述衬底且垂直于所述第一接触部的延伸方向的平面为纵截面，所述第一沟槽的顶部开口在所述纵截面上的投影尺寸大于所述第一沟槽的底壁在所述纵截面上的投影尺寸； 形成第二接触部，所述第二接触部填充所述第一沟槽，以及所述初始沟槽内未被所述第一接触部覆盖的区域，所述第一接触部和所述第二接触部形成接触结构； 所述形成第一接触部的方法包括： 形成层叠结构，所述层叠结构覆盖所述初始沟槽的底壁和侧壁，所述层叠结构包括第一接触层和辅助层； 去除所述层叠结构的部分所述辅助层和部分所述第一接触层，被保留的所述辅助层和所述第一接触层形成中间结构； 所述中间结构中被保留的所述辅助层高于被保留的所述第一接触层，通过第二工艺刻蚀去除所述中间结构的部分结构，形成所述第一沟槽，所述第一沟槽在纵截面上的投影为等腰梯形，所述第二工艺为湿法刻蚀工艺，采用第二工艺进行刻蚀时，所述辅助层的刻蚀选择比大于所述第一接触层的刻蚀选择比。

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