中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所于子呈获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利GaN MISHEMT器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110886070.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权GaN MISHEMT器件及其制作方法是由于子呈;张丽;周鑫;徐坤;邓旭光;范亚明;张宝顺设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN MISHEMT器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNMISHEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层；在所述二维材料钝化层上形成介质层；以及制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。本发明提供的制作方法，在生长完GaNHEMT外延结构后原位生长二维h‑BN作为表面钝化层，然后再二次沉积介质层，可以阻挡表面损伤，屏蔽表面悬挂键，降低界面态密度，进而有效地抑制电流崩塌效应，使器件获得更好的直流特性和动态特性。
本发明授权GaN MISHEMT器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNMISHEMT器件的制作方法，其特征在于包括： 制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述势垒层与所述沟道层之间形成有二维电子气； 在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层，所述二维材料钝化层的厚度为1-50nm，所述二维材料钝化层的材质为h-BN； 在所述二维材料钝化层上形成介质层所述介质层的材质包括Si3N4，所述介质层的厚度大于0而小于等于50nm；以及 制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号