株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社矶部康裕获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110878873.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置是由矶部康裕;洪洪;吉冈启;杉山亨;小野村正明设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，与第一氮化物半导体层相比带隙大；第一电极及第二电极，设置于第二氮化物半导体层的上方；第一绝缘膜，设置于第二氮化物半导体层的上方的、第一电极与第二电极之间，与第二氮化物半导体层接触，并包含第一绝缘材料；第二绝缘膜，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二氮化物半导体层的上方、第一绝缘膜的上方及第一绝缘膜与第二电极之间的第二氮化物半导体层的上方，并包含第二绝缘材料；第三电极，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二绝缘膜的上方；以及第四电极，具有第一电极部和第二电极部。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一氮化物半导体层； 第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层的上方，与所述第一氮化物半导体层相比带隙大； 第一电极，设置于所述第二氮化物半导体层的上方； 第二电极，设置于所述第二氮化物半导体层的上方； 第一绝缘膜，设置于所述第二氮化物半导体层的上方的、所述第一电极与所述第二电极之间，与所述第二氮化物半导体层接触，并包含第一绝缘材料； 第二绝缘膜，设置于所述第一电极与所述第一绝缘膜之间的所述第二氮化物半导体层的上方、所述第一绝缘膜的上方、以及所述第一绝缘膜与所述第二电极之间的所述第二氮化物半导体层的上方，包含第二绝缘材料； 第三电极，设置于所述第一电极与所述第一绝缘膜之间的所述第二绝缘膜的上方；以及 第四电极，具有： 第一电极部，设置于所述第三电极与所述第一绝缘膜之间的所述第二绝缘膜的上方；和 第二电极部，设置于所述第一绝缘膜的上方的所述第二绝缘膜的上方，并与所述第一电极部电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号