长鑫存储技术有限公司梅晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110880780.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器是由梅晓波设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底中形成具有第一深度的隔离结构；在衬底中形成具有第二深度的字线结构，字线结构部分形成在隔离结构中，且第二深度小于第一深度；沿垂直于衬底的方向对隔离结构进行刻蚀，在隔离结构中形成具有第三深度的第一沟槽；在衬底上形成覆盖字线结构和第一沟槽的第一绝缘层，以在隔离结构中形成气隙结构。
本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供衬底；在所述衬底中形成具有第一深度的隔离结构； 在所述衬底中形成具有第二深度的字线结构，所述字线结构部分形成在所述隔离结构中，且所述第二深度小于所述第一深度； 沿垂直于所述衬底的方向对所述隔离结构进行刻蚀，在所述隔离结构中形成具有第三深度的第一沟槽； 在所述衬底上形成覆盖所述字线结构和所述第一沟槽的第一绝缘层，以在所述隔离结构中形成气隙结构；其中， 所述隔离结构的截面包括上部和下部，所述上部呈方形，所述下部呈倒梯形；所述方法还包括： 基于所述具有第三深度的第一沟槽，继续沿垂直于所述衬底的方向对所述衬底进行刻蚀，形成具有第四深度的第一沟槽；且所述第四深度大于所述第一深度。
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