三星电子株式会社闵智玄获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利量子点、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113969165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110839147.X，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权量子点、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子设备是由闵智玄;张银珠;金龙郁设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子设备在说明书摘要公布了：公开了量子点、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子设备。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；在所述芯上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体包括III‑VI族化合物；和在所述第一壳上的包括第三半导体纳米晶体的第二壳，所述第三半导体纳米晶体具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成；其中所述第一半导体纳米晶体和所述第三半导体纳米晶体之一包括III‑V族化合物。
本发明授权量子点、以及包括其的量子点-聚合物复合物和电子设备在权利要求书中公布了：1.量子点，包括 包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述III-V族化合物包括InP、GaP、InAs、GaAs、InSb、GaSb、InGaP、InAsP、InSbP、InGaAs、InZnP、GaZnP、InZnAs、或其组合； 在所述芯上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体包括III-VI族化合物，所述III-VI族化合物包括镓硫属化物；和 在所述第一壳上的包括第三半导体纳米晶体的第二壳，所述第三半导体纳米晶体具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成，所述第三半导体纳米晶体包括II-VI族化合物，所述II-VI族化合物包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnTeS、ZnS、或其组合； 其中在所述量子点中，所述III-V族化合物和所述III-VI族化合物的III族元素对V族元素的摩尔比为1:1至50:1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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