应用材料公司拉克马尔·C·卡拉塔拉格获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利半导体集成膜的沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113957415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110824340.6，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权半导体集成膜的沉积是由拉克马尔·C·卡拉塔拉格;马克·约瑟夫·萨利;巴斯卡尔·乔蒂·布雅;托马斯·约瑟夫·奈斯利;凯尔文·陈;瑞加娜·杰曼尼·弗雷德;戴维·迈克尔·汤普森;苏米特·辛格·罗伊;马杜尔·萨尚设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体集成膜的沉积在说明书摘要公布了：本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜。
本发明授权半导体集成膜的沉积在权利要求书中公布了：1.一种在基板之上形成光刻胶层的方法，包括： 用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜，其中所述第一金属前驱物蒸气和所述第一氧化剂蒸气的流量遍及所述基板的表面是不均匀的； 用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜，其中所述第二金属前驱物蒸气和所述第二氧化剂蒸气的流量遍及所述基板的所述表面是不均匀的；和 在所述第一气相工艺及所述第二气相工艺的一者或两者期间，在真空腔室中撞击等离子体并使碳氢化合物流入到所述真空腔室中，以将碳以M-C的形式结合到所述光刻胶层中，其中M是金属， 其中所述光刻胶层遍及所述基板的所述表面在组成上是不均匀的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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