应用材料公司王飞虎获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利低电阻率钨膜及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180008460.7，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权低电阻率钨膜及制造方法是由王飞虎;李正周;岑羲;袁智博;雷伟;吴凯;周春明;陈哲擘设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本低电阻率钨膜及制造方法在说明书摘要公布了：提供了用以提供包含钨膜堆叠物的电子器件的装置及方法。通过物理气相沉积形成的钨衬垫以在钨衬垫上通过化学气相沉积直接形成的钨膜来填充。
本发明授权低电阻率钨膜及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种在基板上形成钨堆叠物并且填充沟道的方法，所述方法包含以下步骤：将所述基板放置于物理气相沉积腔室中的基板支撑件上，且不将偏压电压施加至所述基板支撑件，并且在包括介电材料、两个侧壁和底部的所述沟道上形成钨衬垫层，所述钨衬垫层覆盖所述两个侧壁和所述底部并且使用Kr作为处理气体使用物理气相沉积处理来形成；和 在所述钨衬垫层上直接形成钨膜，以形成具有堆叠物电阻率的所述钨堆叠物，所述钨膜使用化学气相沉积处理来形成并且填充所述沟道，其中所述钨膜的形成不包括在所述钨衬垫层上形成成核层，并且其中所述沟道具有小于65nm的宽度， 其中不将所述偏压电压施加至所述基板支撑件控制所述钨衬垫层的晶粒尺寸到大于200埃并且改善所述堆叠物电阻率。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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