长鑫存储技术有限公司韩清华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110808697.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由韩清华设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底；位线，位于基底上；半导体通道，位于位线表面，在沿基底指向位线的方向上，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，第一掺杂区与位线相接触，且第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区中掺杂有第一类型掺杂离子，沟道区中还掺杂有第二类型掺杂离子，使得沟道区中的多数载流子浓度低于第一掺杂区和第二掺杂区中多数载流子的浓度，第一类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者，第二类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的另一者。本发明实施例有利于使得多数载流子在沟道区中的浓度小于在第一掺杂区和第二掺杂区中的浓度，以提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位线，位于所述基底上； 半导体通道，位于所述位线表面，在沿所述基底指向所述位线的方向上，所述半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述位线相接触，且所述第一掺杂区、所述沟道区和所述第二掺杂区中掺杂有第一类型掺杂离子，所述沟道区中还掺杂有第二类型掺杂离子，使得所述沟道区中的多数载流子浓度低于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中多数载流子的浓度，所述第一类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者，所述第二类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的另一者。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励