长鑫存储技术有限公司章纬获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利阻变存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110779767.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权阻变存储器件及其制备方法是由章纬;邓杰芳;王晓光设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种阻变存储器件及其制备方法。该制备方法，包括：提供基底；于基底中形成位线沟槽；于位线沟槽的侧壁和底部形成阻变材料层；于位线沟槽中填充形成位线结构；其中，可变电阻结构包括位线结构、阻变材料层。本申请阻变存储器件中位线结构及位线侧壁的阻变材料层作为可变电阻结构的一部分，在形成位线结构的同时形成可变电阻结构，简化了阻变存储器件的工艺流程，降低了生产成本，同时减小了阻变存储器件的尺寸。
本发明授权阻变存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出阵列排布的有源区； 于所述基底中形成位线沟槽和栅极沟槽，每一所述栅极沟槽和一个所述位线沟槽横跨同一所述有源区，且将所述有源区分为位于所述栅极沟槽与所述浅沟槽隔离结构之间的源极区、位于所述栅极沟槽与所述位线沟槽之间的漏极区； 于所述位线沟槽的侧壁和底部形成阻变材料层； 于所述位线沟槽中填充形成位线结构，以及于所述栅极沟槽中填充形成栅极结构； 其中，可变电阻结构包括所述位线结构、所述阻变材料层以及所述漏极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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