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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180034054.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET是由庄名叶设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET在说明书摘要公布了：一种半导体装置100包含延伸漏极finFET102。所述finFET102的漏极漂移区域128在所述finFET102的漏极接点区域132与主体124之间延伸。所述漏极漂移区域128在所述漏极接点区域132与所述主体124之间包含所述漏极漂移区域128的经增强部分136。所述漏极漂移区域128还包含横向上邻近于所述漏极漂移区域128的所述经增强部分136且位于所述经增强部分的相对侧上的第一电荷平衡区域与第二电荷平衡区域。所述漏极漂移区域128的所述经增强部分136及所述漏极接点区域132具有第一导电性类型；所述主体124、所述第一电荷平衡区域及所述第二电荷平衡区域具有第二相反导电性类型。所述漏极漂移区域128比所述主体124宽。

本发明授权在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 衬底；及 所述衬底上的鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管包含： 所述衬底上的半导体材料的鳍片； 所述鳍片中的源极，所述源极具有第一导电性类型； 所述鳍片中的主体，其邻接所述源极，所述主体具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型； 所述鳍片中的漏极漂移区域，所述漏极漂移区域与所述源极相对地邻接所述主体，所述漏极漂移区域具有所述第一导电性类型，其中所述漏极漂移区域比所述主体宽，所述漏极漂移区域包含所述漏极漂移区域的经增强部分，所述漏极漂移区域的所述经增强部分具有比所述漏极漂移区域的其余部分高的净平均第一导电性类型掺杂剂浓度； 所述鳍片中的第一电荷平衡区域，其横向上邻近于且邻接所述漏极漂移区域的所述经增强部分，所述第一电荷平衡区域具有所述第二导电性类型； 所述鳍片中的第二电荷平衡区域，其与所述第一电荷平衡区域相对地横向上邻近于且邻接所述漏极漂移区域的所述经增强部分，所述第二电荷平衡区域具有所述第二导电性类型； 所述鳍片中的漏极接点区域，其与所述主体相对地邻近于所述漏极漂移区域，所述漏极接点区域具有所述第一导电性类型； 所述主体上、所述鳍片的顶部表面上方的栅极介电层，且所述栅极介电层在所述主体的两个横向表面上延伸；及 所述栅极介电层上方的栅极，所述栅极在所述鳍片的所述顶部表面上方延伸且在所述主体的所述两个横向表面上方延伸。

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