格芯(美国)集成电路科技有限公司阿希尔斯·加史瓦获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110572530.3，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器是由阿希尔斯·加史瓦;A·P·雅各布;卞宇生;D·C·普里查德设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器，揭示一种图像传感器，包括以列和行排列的光学可切换磁性隧道结MTJ阵列。该图像传感器具有透明导电材料的第一线路和导电材料的第二线路。各第一线路与对应行中MTJ的自由层相接触。各第二线路与对应列中的固定层MTJ电性连接。第一线路同时暴露在辐射下。第一线路和第二线路可选择性地偏置。在全局复位操作中，偏置条件使得所有MTJ被切换到反平行状态。在全局感测操作中，偏置条件使得根据在与MTJ接触的第一线路的那些部分接收到的辐射强度，MTJ可以切换到平行状态。在选择性读取操作中，偏置条件使得可以读取MTJ中存储的数据值。
本发明授权包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种传感器，包括： 磁性隧道结的阵列，排列成列和行，其中，该磁性隧道结包括自旋霍尔效应型磁性隧道结，该自旋霍尔效应型磁性隧道结包括自由层和钉扎层之间的绝缘体层； 第一线路，包括透明导电自旋霍尔效应材料，其中，各第一线路横跨接触对应行中的各磁性隧道结的该自由层，并暴露于辐射；以及 第二线路，其中，各第二线路电性连接对应列中的各磁性隧道结的该钉扎层，并且其中，该磁性隧道结被配置成存储数据值，该数据值取决于在感测操作期间在紧邻该第一线路的部分接收到的该辐射的强度水平。
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