台湾积体电路制造股份有限公司杨世海获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110550490.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置结构及其形成方法是由杨世海;徐志安;姚茜甯设计研发完成，并于2021-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括基板，具有基部及鳍状物位于基部之上；栅极堆叠，位于鳍状物的顶部之上；第一纳米结构，位于鳍状物之上，且通过栅极堆叠；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上，且通过栅极堆叠，栅极堆叠具有第一部分及第二部分，第一部分位于第一纳米结构及鳍状物之间，且第二部分位于第一纳米结构及第二纳米结构之间；应力源结构，位于鳍状物之上，且连接至第一纳米结构及第二纳米结构；第一内间隔物，位于第一部分及应力源结构之间；以及第二内间隔物，位于第二部分及应力源结构之间，第一内间隔物比第二内间隔物宽。
本发明授权半导体装置结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，包括： 一基板，具有一基部及一鳍状物位于该基部之上； 一栅极堆叠，位于该鳍状物的一顶部之上； 一第一纳米结构，位于该鳍状物之上，且通过该栅极堆叠； 一第二纳米结构，位于该第一纳米结构之上，且通过该栅极堆叠，其中该栅极堆叠具有一第一部分及一第二部分，该第一部分位于该第一纳米结构及该鳍状物之间，且该第二部分位于该第一纳米结构及该第二纳米结构之间； 一应力源结构，位于该鳍状物之上，且连接至该第一纳米结构及该第二纳米结构； 一第一内间隔物，位于该第一部分及该应力源结构之间； 一第二内间隔物，位于该第二部分及该应力源结构之间，其中该第一内间隔物比该第二内间隔物宽； 一膜层，位于该第一内间隔物中，其中该膜层的介电常数小于该第一内间隔物的介电常数；以及 一第一低介电常数结构，位于该膜层中，其中该膜层环绕该第一低介电常数结构，使得该第一低介电常数结构透过该膜层与该第一内间隔物隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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