三菱瓦斯化学株式会社石井太树获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱瓦斯化学株式会社申请的专利树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029779.8，技术领域涉及：B29C59/04；该发明授权树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法是由石井太树设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供具有滑动性并且透明的树脂膜、以及多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法。至少一个面满足下述算式1的树脂膜。算式11.00≤S10z＊logSpd≤10.00算式1中，S10z表示S5p和S5v之和，S5p表示从最高的山顶排序、至第5高的山顶的局部高度的平均值单位：μm，S5v表示从最深的谷底排序、至第5深的谷底的局部深度的平均值单位：μm，Spd表示树脂膜每1mm2的凸部个数单位：个，S5p、S5v和Spd为ISO25718－2：2012所规定的值。
本发明授权树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种树脂膜，其特征在于： 至少一个面满足下述算式1，且所述树脂膜中所含的无机颗粒的量低于0.01质量％， 算式1 1.00≤S10z＊logSpd≤10.00 算式1中，S10z表示S5p和S5v之和， S5p表示从最高的山顶排序、至第5高的山顶的局部高度的平均值，单位：μm，S5v表示从最深的谷底排序、至第5深的谷底的局部深度的平均值，单位：μm，Spd表示树脂膜每1mm2的凸部个数，单位：个，S5p、S5v和Spd为ISO25718－2：2012所规定的值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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