中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司槐宝获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利修边方法及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110414148.X，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权修边方法及键合方法是由槐宝;王阳;刘敏;强力;贾伟杰设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本修边方法及键合方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种修边方法及键合方法，所述修边方法应用于多层键合晶圆，包括：提供多层键合晶圆，所述多层键合晶圆包括有效区和位于所述有效区外围的修边区；去除部分所述修边区的多层键合晶圆，部分所述修边区为自所述有效区的边缘向外扩展特定宽度的区域；去除其余修边区的多层键合晶圆。本申请技术方案的修边方法及键合方法可以解决去除载体晶圆时键合界面的缺陷问题，有利于后续工艺的进行及提高产品良率。
本发明授权修边方法及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种修边方法，应用于多层键合晶圆，其特征在于，包括： 提供多层键合晶圆，所述多层键合晶圆包括有效区和位于所述有效区外围的修边区，所述多层键合晶圆包括底层晶圆和位于所述底层晶圆上且层叠分布的至少两个键合晶圆，所述多层键合晶圆中任意相邻的键合晶圆的边缘以及所述底层晶圆与相邻的键合晶圆的边缘都呈阶梯状，自顶层键合晶圆至底层晶圆，所述修边区的宽度依次增加； 去除部分所述修边区的多层键合晶圆，部分所述修边区为自所述有效区的边缘向外扩展特定宽度的区域； 去除其余修边区的多层键合晶圆。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区文昌大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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