应用材料股份有限公司索尼·瓦吉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料股份有限公司申请的专利形成动态随机存取存储器器件的方法以及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031384.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权形成动态随机存取存储器器件的方法以及结构是由索尼·瓦吉斯设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成动态随机存取存储器器件的方法以及结构在说明书摘要公布了：公开DRAM器件及形成DRAM器件的方法。一种非限制性方法可包括提供器件，器件包括：多个成角度结构，由衬底形成；位线及介电质，位于所述多个成角度结构中的每一者之间；及漏极，沿着所述多个成角度结构中的每一者设置。所述方法可还包括：在所述多个成角度结构之上提供图案化掩模层的多个掩模结构，所述多个掩模结构被定向成垂直于所述多个成角度结构。所述方法可还包括：以非零角度对器件进行刻蚀以形成多个柱结构。
本发明授权形成动态随机存取存储器器件的方法以及结构在权利要求书中公布了：1.一种形成动态随机存取存储器器件的方法，包括： 提供起始器件，所述起始器件包括： 多个成角度结构，由衬底形成； 位线及介电质，位于所述多个成角度结构中的每一者之间；及 漏极，沿着所述多个成角度结构中的每一者设置； 在所述多个成角度结构之上提供图案化掩模层的多个掩模结构，所述多个掩模结构被定向成垂直于所述多个成角度结构；以及 以非零角度对所述起始器件进行刻蚀以形成多个柱结构。
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