爱思开海力士有限公司辛在贤获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113971975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110306895.1，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器装置及其操作方法是由辛在贤;高贵韩;金成焄;朴宽;李贤洙设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置可包括：第一子块和第二子块，其各自包括多个选择晶体管和多个存储器单元；外围电路，其对存储在第一子块中的数据执行读操作；以及控制逻辑，其控制外围电路使包括在第一子块和第二子块中的每一个中的多个选择晶体管导通并且将读电压施加到多条字线当中的所选字线。
本发明授权存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 第一子块，该第一子块包括多个第一选择晶体管和多个第一存储器单元； 第二子块，该第二子块通过多条字线联接到所述第一子块并且包括多个第二选择晶体管和多个第二存储器单元； 外围电路，该外围电路对存储在所述第一子块或所述第二子块中的数据执行读操作；以及 控制逻辑，该控制逻辑控制所述外围电路将读电压施加到所述多条字线当中的所选字线， 其中，所述多个第一选择晶体管包括至少一个第一源极选择晶体管和至少一个第一漏极选择晶体管，并且所述多个第二选择晶体管包括至少一个第二源极选择晶体管和至少一个第二漏极选择晶体管， 其中，当对所述第一子块执行所述读操作时，所述控制逻辑控制所述外围电路： 使所述多个第一选择晶体管中包括的所述至少一个第一源极选择晶体管和所述至少一个第一漏极选择晶体管以及所述多个第二选择晶体管中包括的所述至少一个第二源极选择晶体管和所述至少一个第二漏极选择晶体管导通， 使所述多条字线的电压电平从第一电平增大至第二电平， 当所述多条字线的所述电压电平达到所述第二电平时，使所述多个第二选择晶体管中包括的所述至少一个第二源极选择晶体管和所述至少一个第二漏极选择晶体管截止，并且 使所述多条字线的所述电压电平从所述第二电平增大至第三电平。
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