意法半导体(R&D)有限公司J·P·D·唐宁获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(R&D)有限公司申请的专利漫射照明系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110273747.4，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权漫射照明系统是由J·P·D·唐宁设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本漫射照明系统在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及漫射照明系统。一种用于减少漫射相关照明不均匀性的漫射照明系统，包括垂直腔面发射激光VCSEL发射器阵列和漫射元件，漫射元件包括透明基底和纳米结构阵列。每个纳米结构的尺寸和形状被配置为延迟从发射器入射在每个纳米结构上的光的两个正交偏振状态的相位，以减少在输出中的照明不均匀性。
本发明授权漫射照明系统在权利要求书中公布了：1.一种漫射照明系统，包括： 垂直腔面发射激光VCSEL基底； 垂直腔面发射激光VCSEL发射器阵列，位于所述VCSEL基底上，每个所述VCSEL发射器具有发射表面，光通过所述发射表面被发射；以及 漫射元件，包括透明基底和纳米结构阵列，所述透明基底位于所述VCSEL基底上以及所述VCSEL发射器的发射表面上，所述透明基底具有面对所述VCSEL基底的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述透明基底覆盖所述VCSEL发射器中的每个VCSEL发射器，所述纳米结构阵列位于所述透明基底的所述第二表面上， 所述透明基底具有第一折射率，并且所述纳米结构阵列具有大于所述第一折射率的第二折射率， 其中每个纳米结构的尺寸和形状被配置为延迟入射在每个纳米结构上的光的第一偏振状态的相位，以及延迟入射在每个纳米结构上的光的第二偏振状态的相位， 其中所述第一偏振状态与所述第二偏振状态正交，以及 其中入射在每个纳米结构上的所述光由所述VCSEL发射器阵列中的至少一个VCSEL发射器发射。
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