琳得科株式会社根本拓获国家专利权
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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利保护膜形成用片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115244654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180020576.2，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权保护膜形成用片是由根本拓;田村樱子;森下友尧;四宫圭亮设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护膜形成用片在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜x与支撑片Y的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜X，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。
本发明授权保护膜形成用片在权利要求书中公布了：1.一种保护膜形成用片，其具有固化性树脂膜x与支撑片Y的层叠结构， 所述固化性树脂膜x是含有聚合物成分A及热固性成分B的热固性树脂膜x1，所述聚合物成分A包含聚乙烯醇缩醛，所述热固性成分B包含环氧树脂B1， 所述保护膜形成用片用于在具有多个凸块、且满足下述要件α1～α2的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜X， ·要件α1：所述凸块的宽度BMw为20μm～350μm， ·要件α2：所述凸块的间距BMP和所述凸块的宽度BMw满足下述式I， [BMPBMw]≤1.0····I 其中，所述保护膜形成用片满足下述要件β1～β3， ·要件β1：使所述固化性树脂膜x固化而形成的保护膜X在23℃下的拉伸模量E’23℃为1×107Pa～1×1010Pa， ·要件β2：使所述固化性树脂膜x固化而形成的保护膜X在260℃下的拉伸模量E’260℃为1×105Pa～1×108Pa， ·要件β3：使所述固化性树脂膜x固化而形成的保护膜X在23℃下的厚度XT和所述凸块的高度BMh满足下述式II， 所述凸块的宽度BMw、所述凸块的间距BMP、所述凸块的宽度BMw、所述保护膜X在23℃下的厚度XT及所述凸块的高度BMh的单位均为μm，[XTBMh]≥0.2····II。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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