中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司何子芳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110105033.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由何子芳设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底上具有若干相互分立的第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部包括第一隔离区，第二鳍部包括第二隔离区；位于第一鳍部内的若干第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子；位于第二鳍部内的若干第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层内具有第二源漏离子，第一源漏离子与第二源漏离子的电学类型相反；位于第一隔离区内的第一隔离结构，第一隔离结构为第一鳍部提供第一应力；位于第二隔离区内的第二隔离结构，第二隔离结构为第二鳍部提供第二应力，第一应力和第二应力的应力类型相反。通过应力类型相反的第一应力和第二应力，同时满足不同类型晶体管结构的应力需求，使得最终形成的半导体结构的性能提升。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有若干相互分立的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部包括第一隔离区，所述第二鳍部包括第二隔离区； 位于所述第一鳍部内的若干第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一源漏离子； 位于所述第二鳍部内的若干第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层内具有第二源漏离子，所述第一源漏离子与所述第二源漏离子的电学类型相反； 位于所述第一隔离区内的第一隔离结构，所述第一隔离结构为所述第一鳍部提供第一应力； 位于所述第二隔离区内的第二隔离结构，所述第二隔离结构为所述第二鳍部提供第二应力，所述第一应力和所述第二应力的应力类型相反； 位于所述衬底上的若干第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部； 所述第一源漏掺杂层位于相邻的所述第一隔离结构和所述第二栅极结构之间，或相邻的所述第二栅极结构之间； 所述第二源漏掺杂层位于相邻的所述第二隔离结构和所述第二栅极结构之间，或相邻的所述第二栅极结构之间。
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