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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011642925.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵晓燕;侯元琨;周川淼;张芳余设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底上具有第一鳍部和第二鳍部；位于衬底上的若干第一栅极结构，第一栅极结构的侧壁上具有第一侧墙结构，第一侧墙结构沿具有第二尺寸；位于衬底上的若干第二栅极结构，第二栅极结构的侧壁上具有第二侧墙结构，第二侧墙结构沿具有第四尺寸，第四尺寸小于第二尺寸。通过增大第一侧墙结构的第二尺寸覆盖第一鳍部，使得形成的第一源漏开口的尺寸减小。当第二源漏开口内的源漏掺杂层填满时，形成在第一源漏开口内的源漏掺杂层能够填充更多的空间，减小了第一源漏开口内的源漏掺杂层在中间位置出现的凹陷，降低导电层穿透源漏掺杂层的中间部分的风险，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区上具有若干相互分立的第一鳍部，所述第二区上具有若干相互分立的第二鳍部，所述第一鳍部和所述第二鳍部分别沿第一方向延伸； 位于所述第一区上的若干第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍部，且相邻的所述第一栅极结构之间沿所述第一方向具有第一尺寸，所述第一栅极结构的侧壁上具有第一侧墙结构，所述第一侧墙结构沿所述第一方向具有第二尺寸； 位于所述第二区上的若干第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述第二鳍部，且相邻的所述第二栅极结构之间沿所述第一方向具有第三尺寸，所述第三尺寸小于所述第一尺寸，所述第二栅极结构的侧壁上具有第二侧墙结构，所述第二侧墙结构沿所述第一方向具有第四尺寸，所述第四尺寸小于所述第二尺寸； 位于所述第一栅极结构两侧的所述第一鳍部内的第一源漏开口； 位于所述第二栅极结构两侧的所述第二鳍部内的第二源漏开口； 位于所述第一源漏开口和所述第二源漏开口内的源漏掺杂层，位于所述第一源漏开口内的源漏掺杂层的顶部表面低于所述第一鳍部的顶部表面，位于所述第二源漏开口内的源漏掺杂层的顶部表面齐平于所述第二鳍部的顶部表面。

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