华邦电子股份有限公司许博砚获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利电阻式存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011563684.8，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权电阻式存储器是由许博砚;吴伯伦;郭泽绵设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种电阻式存储器，包括基底、第一电极、第二电极、可变电阻层与氧储存层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极与基底之间。可变电阻层位于第一电极与第二电极之间。氧储存层位于第一电极与可变电阻层之间。氧储存层包括第一部分、第二部分与第三部分。第二部分连接于第一部分的一侧。第三部分连接于第一部分的另一侧。第一部分的厚度大于第二部分的厚度与第三部分的厚度。氧储存层的第一部分朝向第一电极突出。上述电阻式存储器可有效地提升存储器元件的电性效能。
本发明授权电阻式存储器在权利要求书中公布了：1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括： 基底； 第一电极，位于所述基底上； 第二电极，位于所述第一电极与所述基底之间； 可变电阻层，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及 氧储存层，位于所述第一电极与所述可变电阻层之间，且包括： 第一部分； 第二部分，连接于所述第一部分的一侧；以及 第三部分，连接于所述第一部分的另一侧，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度与所述第三部分的厚度，所述氧储存层的所述第一部分朝向所述第一电极突出，且所述第二部分与所述第三部分在剖面图中分别具有平坦的顶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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