买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利测距图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089284.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权测距图像传感器及其制造方法是由间瀬光人;平光纯;岛田明洋;石井博明;伊藤聪典;田中祐马设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本测距图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：测距图像传感器包括半导体层和电极层。半导体层和电极层构成多个像素。多个像素各自在半导体层中具有雪崩倍增区域、电荷分配区域、第一电荷传送区域和第二电荷传送区域。多个像素各自在电极层中具有光电栅电极、第一传送栅电极和第二传送栅电极。雪崩倍增区域遍及多个像素地相连，或者到达以将多个像素的各个像素彼此分开的方式形成于半导体层的沟槽。

本发明授权测距图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种测距图像传感器，其特征在于，包括： 半导体层，其具有第一侧的第一表面和所述第一侧的相反侧即第二侧的第二表面，用于构成沿所述第一表面配置的多个像素；和 设置于所述第一表面的、用于构成所述多个像素的电极层， 所述多个像素中的各个像素具有： 雪崩倍增区域，其包括形成于所述半导体层的第一导电型的第一倍增区域、和在所述半导体层中形成于所述第一倍增区域的所述第一侧的第二导电型的第二倍增区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的所述第一侧的、与所述第二倍增区域连接的第二导电型的电荷分配区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的所述第一侧的、与所述电荷分配区域连接的第二导电型的第一电荷传送区域； 在所述半导体层中形成于所述第二倍增区域的所述第一侧的、与所述电荷分配区域连接的第二导电型的第二电荷传送区域； 在所述电极层中形成于所述电荷分配区域的所述第一侧的光电栅电极； 以相比于所述光电栅电极位于所述第一电荷传送区域侧的方式，在所述电极层中形成于所述电荷分配区域的所述第一侧的第一传送栅电极；和 以相比于所述光电栅电极位于所述第二电荷传送区域侧的方式，在所述电极层中形成于所述电荷分配区域的所述第一侧的第二传送栅电极， 所述雪崩倍增区域遍及所述多个像素地相连，或者到达以将所述多个像素的各个像素彼此分开的方式形成于所述半导体层的沟槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浜松光子学株式会社，其通讯地址为：日本静冈县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。