台湾积体电路制造股份有限公司彭裕钧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011410902.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由彭裕钧;曹修豪;陈书涵;许昶志;游国丰;陈建豪;尤志豪;张长昀设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：在本申请的实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅极间隔件，该栅极间隔件具有上部和下部，上部的第一宽度沿远离半导体衬底的顶面延伸的第一方向连续减小，下部的第二宽度沿第一方向恒定；沿栅极间隔件的第一侧壁和半导体衬底的顶面延伸的栅极堆叠件；以及与栅极间隔件的第二侧壁相邻的外延源极漏极区域。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 在半导体衬底上方形成伪栅极电介质； 在所述伪栅极电介质上方形成伪栅电极； 在所述伪栅电极和所述伪栅极电介质附近沉积栅极间隔件； 去除所述伪栅电极以形成凹槽； 在所述栅极间隔件的第一区域中注入杂质以增加所述栅极间隔件的第一区域的蚀刻速率，所述栅极间隔件的第二区域未被所述注入改变； 去除所述伪栅极电介质和所述栅极间隔件的第一区域；以及 在所述凹槽中形成替换栅极，所述替换栅极接触所述栅极间隔件的第二区域； 其中，所述杂质是氧，并且将杂质注入到所述栅极间隔件的第一区域中包括： 使包括氧源前体气体和载气的气体源流过所述半导体衬底； 从所述气体源产生等离子体，所述等离子体包括氧离子和氧自由基；以及 以非定向方式将所述等离子体中的氧离子朝向所述栅极间隔件加速。
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