上海华力微电子有限公司林爱梅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011251161.X，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法是由林爱梅设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，在通孔层上从下至上依次生长第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层；将多晶硅层作为硬掩膜定义图形并刻蚀第二氮化硅层至第二氧化硅层上表面，将第二氮化硅层形成为多个氮化硅图形结构；在多个氮化硅图形结构的侧壁形成侧墙；去除侧墙内的所述氮化硅图形结构；以侧墙为硬掩膜刻蚀第二氧化硅层和氮化钛层；形成氮化钛图形结构；以氮化钛图形结构为硬掩膜刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层，将第一氧化硅层和第一氮化硅层图形化。本发明通过对复合膜层整合，高温下各膜层间的应力得以匹配，彻底解决侧墙倾斜，实现二次成型的图形定义。
本发明授权一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、在通孔层上生长复合膜层；所述复合膜层从下至上依次为：第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层； 步骤二、将所述多晶硅层作为硬掩膜定义图形并按照所定义的图形刻蚀所述第二氮化硅层至所述第二氧化硅层上表面，将所述第二氮化硅层形成为多个氮化硅图形结构； 步骤三、在所述多个氮化硅图形结构的侧壁分别形成侧墙； 步骤四、去除所述侧墙内的所述氮化硅图形结构； 步骤五、以所述侧墙为硬掩膜刻蚀所述第二氧化硅层和所述氮化钛层；形成氮化钛图形结构； 步骤六、以所述氮化钛图形结构为硬掩膜刻蚀所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层，将所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层图形化。
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