台湾积体电路制造股份有限公司杨思齐获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011024428.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置的制造方法是由杨思齐;简鹤年;丁振庭;林建智;李建志;林士豪;李宗鸿;叶致锴;黄才育;萧柏铠设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供了半导体装置的制造方法。根据一实施例的方法，包括形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上；形成一半导体盖层于第一鳍部及第二鳍部上；以及在露出半导体盖层的至少一部分的同时，于第一温度下对半导体盖层进行退火。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于该第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上； 形成一半导体盖层于该第一鳍部及该第二鳍部上； 在露出该半导体盖层的至少一部分的同时，于一第一温度及一第一压力下对该半导体盖层进行一第一退火，其中该半导体盖层的退火增加了该半导体盖层的结晶度； 形成一栅极结构于该第一鳍部及该第二鳍部的通道区上方；以及 在形成该栅极结构之后，在大于该第一压力的一第二压力下进行一第二退火，其中在包括氢气的气体氛围中进行该第二退火。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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