株式会社迪思科饭田英一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010088142.3，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶片的加工方法是由饭田英一;西田吉辉;千东谦太设计研发完成，并于2020-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴保护带；磨削步骤，隔着保护带将晶片保持在卡盘工作台上，对晶片的背面侧进行磨削而薄化至规定的厚度；研磨步骤，利用研磨垫对通过磨削步骤进行了磨削的晶片的背面侧进行研磨，将通过磨削步骤而形成的破碎层去除；以及等离子体加工步骤，向通过研磨步骤进行了研磨的晶片的背面侧提供处于等离子体状态的惰性气体，将晶片的背面侧的加工应变的表层去除。
本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，该晶片在半导体基板的正面上形成有格子状的多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域中形成有器件，其中， 该晶片的加工方法具有如下的步骤： 保护部件粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴保护部件； 磨削步骤，隔着该保护部件将晶片保持在卡盘工作台上，对晶片的背面侧进行磨削而薄化至规定的厚度； 研磨步骤，利用包含磨粒的研磨垫对通过该磨削步骤进行了磨削的晶片的背面侧进行研磨，将通过该磨削步骤而形成的破碎层去除并且利用磨粒形成晶体缺陷和应变比该破碎层的晶体缺陷和应变小的作为去疵层的加工应变；以及 等离子体加工步骤，向通过该研磨步骤进行了研磨的晶片的背面侧提供处于等离子体状态的惰性气体，将晶片的背面侧的该加工应变的表层去除，并且使该加工应变的表层变质成作为晶体应变层且被赋予比该加工应变小的晶体缺陷和应变的无定形状的无定形层，在背面侧的该加工应变的表层形成由该无定形层构成的预备去疵层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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