意法半导体股份有限公司D·G·帕蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利半导体管芯及其制造方法和容纳管芯的封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111490016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010076684.9，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权半导体管芯及其制造方法和容纳管芯的封装件是由D·G·帕蒂;M·A·阿莱奥设计研发完成，并于2020-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体管芯及其制造方法和容纳管芯的封装件在说明书摘要公布了：本文描述了半导体管芯及其制造方法和容纳管芯的封装件。一种半导体管芯包括具有功率区域和包围功率区域的外围区域的结构体。至少一个功率器件位于功率区域中。沟槽绝缘装置沿第一方向从前侧朝向后侧在结构体中延伸，沟槽绝缘装置被适配用于阻止热沿着与第一方向正交的第二方向从功率区域朝向外围区域传导。沟槽绝缘装置在第二方向上的延伸大于结构体沿第一方向的厚度。
本发明授权半导体管芯及其制造方法和容纳管芯的封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 结构体，由半导体材料制成并且具有第一侧和第二侧，所述结构体的所述第一侧包括第一区域和第二区域，所述第二区域至少部分地包围所述第一区域； 至少一个低电压半导体器件，被布置在所述第二区域中； 至少一个半导体功率器件，被布置在所述第一区域中； 导热耦合界面，耦合在所述至少一个半导体功率器件与所述结构体之间； 第三区域，位于所述第一区域和所述第二区域之间，所述第三区域包括沟槽绝缘结构，所述沟槽绝缘结构在所述结构体中沿第一方向从所述第一侧开始朝向所述第二侧延伸，所述沟槽绝缘结构具有尺寸和材料以便形成沿基本上与所述第一方向正交的第二方向从所述第一区域朝向所述第二区域的热传导的障碍； 其中所述沟槽绝缘结构被形成为，使得其沿所述第二方向具有的延伸大于沿所述第一方向从所述第一侧到所述第二侧测量的所述结构体的厚度。
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