QORVO美国公司朱利奥·C·科斯塔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉QORVO美国公司申请的专利RF半导体装置和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113614897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080023386.1，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权RF半导体装置和其制造方法是由朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本RF半导体装置和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种射频RF装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程BEOL部分和位于BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。FEOL部分包含有源层，所述有源层由应变硅外延层形成，在300K的温度下，所述应变硅外延层中的晶格常数大于5.461。第一模制化合物位于有源层之上。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，所述多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
本发明授权RF半导体装置和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频装置，其包括： 模制装置管芯，所述模制装置管芯包括装置区域和第一模制化合物，其中： 所述装置区域包含前段制程部分和位于前段制程部分之下的后段制程部分，其中所述前段制程部分包括有源层和隔离区段，所述隔离区段由二氧化硅组成、围绕所述有源层并且竖直延伸超过所述有源层的顶表面以在所述隔离区段内和所述有源层之上限定开口； 所述有源层由应变硅外延层形成，其中，在300K的温度下，在应变硅中硅的晶格常数大于5.461； 钝化层，所述钝化层位于所述有源层的所述顶表面之上并且位于所述开口内，其中，所述钝化层由二氧化硅、氮化硅或两者的组合形成；并且 所述第一模制化合物填充所述开口并且与所述钝化层接触，其中在所述第一模制化合物与所述有源层之间不存在不具有锗、氮或氧含量的硅晶体；以及 多层重新分布结构，所述多层重新分布结构形成于所述模制装置管芯的后段制程部分之下，其中所述多层重新分布结构包括多个凸点结构，所述多个凸点结构位于所述多层重新分布结构的底表面上并且电耦接到所述模制装置管芯的所述前段制程部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人QORVO美国公司，其通讯地址为：美国北卡罗莱纳州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号