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龙图腾网获悉QORVO美国公司申请的专利RF半导体装置和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113632210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080023328.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权RF半导体装置和其制造方法是由朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔;菲利普·W·梅森;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本RF半导体装置和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种射频RF装置，该RF装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、导热薄膜和第一模制化合物，装置区域具有后段制程BEOL部分和位于BEOL部分之上的前段制程FEOL部分。FEOL部分包含隔离区段和有源层，有源层被隔离区段围绕。热导率大于10Wm·K并且电阻率大于1E5Ohm‑cm的导热薄膜位于有源层与第一模制化合物之间。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。

本发明授权RF半导体装置和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频装置，其包括： 模制装置管芯，所述模制装置管芯包括装置区域、导热薄膜和第一模制化合物，其中： 所述装置区域包含前段制程部分和位于所述前段制程部分之下的后段制程部分，其中： 所述前段制程部分包括隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕并且未竖直延伸超过所述隔离区段；以及 所述隔离区段由二氧化硅形成； 所述导热薄膜至少位于所述前段制程部分的所述有源层的顶表面之上，其中所述导热薄膜的热导率大于10Wm·K并且电阻率大于1E5Ohm-cm；并且 所述第一模制化合物位于所述导热薄膜和所述装置区域之上，其中： 在所述第一模制化合物与所述有源层之间不存在不具有锗、氮或氧含量的硅晶体；以及 所述隔离区段的顶表面与所述导热薄膜或所述第一模制化合物接触；以及 多层重新分布结构，所述多层重新分布结构形成于所述模制装置管芯的所述后段制程部分之下，其中所述多层重新分布结构包括多个凸点结构，所述多个凸点结构位于所述多层重新分布结构的底表面上并且电耦接到所述模制装置管芯的所述前段制程部分。

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