三菱电机株式会社佐佐木肇获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利化合物半导体的晶体缺陷观察方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114599965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101687.9，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权化合物半导体的晶体缺陷观察方法是由佐佐木肇设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本化合物半导体的晶体缺陷观察方法在说明书摘要公布了：将在纤锌矿结构的化合物半导体1的c面0001上沿[2－1－10]方向形成有栅电极3的设备以10－10面切割，制作试样4。通过使用透射式电子显微镜使电子束5从[－1010]方向入射到试样4，观察伯格斯矢量为13[2－1－10]、13[－2110]的刃型位错和伯格斯矢量为13[2－1－13]、13[－2113]的混合位错。
本发明授权化合物半导体的晶体缺陷观察方法在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体的晶体缺陷观察方法，其特征在于，具备： 将在纤锌矿结构的化合物半导体的c面（0001）上沿［2－1－10］方向形成有栅电极的设备以（10－10）面切割，制作试样的工序；和 通过使用透射式电子显微镜使电子束从［－1010］方向入射到所述试样，观察伯格斯矢量为1／3［2－1－10］、1／3［－2110］的刃型位错和伯格斯矢量为1／3［2－1－13］、1／3［－2113］的混合位错的工序。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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