晶元光电股份有限公司陈昭兴获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110732951.8，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权发光元件是由陈昭兴;王佳琨;庄文宏;吕政霖;曾咨耀设计研发完成，并于2018-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光元件，其包含半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构，位于第二半导体层上接触第一边缘，且包含开孔于第二半导体层上；反射结构，位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层，且包含外侧边；以及第二绝缘结构，位于第一绝缘结构及反射结构上，且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层，以及第二绝缘开口暴露反射结构，其中，反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分，且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。
本发明授权发光元件在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，其特征在于，包含： 半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于该第一半导体层上、及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间，且该第二半导体层包含第一边缘； 第一绝缘结构，位于该第二半导体层上并接触该第一边缘，包含顶部位于该第二半导体层的表面、侧部位于该第二半导体层的第二外侧壁及底部位于该第一半导体层的第一表面，且包含开孔于该第二半导体层上以及另一开孔于该第一半导体层上； 反射层，位于该第一绝缘结构上； 第二绝缘结构，位于该反射层上，且包含第一绝缘开口暴露该第一半导体层的该第一表面，以及第二绝缘开口位于该第二半导体层上；以及 第一接触部，通过该第一绝缘开口以及该另一开孔接触该第一半导体层形成电连接， 其中，在一剖面中，该反射层包含第一反射部和第三反射部电性绝缘于该第一反射部，该第三反射部延伸至超过该第二半导体层的该第一边缘，覆盖该第一绝缘结构的该顶部以及该侧部，且该第三反射部包含第二外侧边位于该第二半导体层的该第二外侧壁和该第一绝缘结构的该底部的侧壁之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶元光电股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号