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龙图腾网获悉谷歌有限责任公司申请的专利制造约瑟夫森结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117998973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410057056.4，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权制造约瑟夫森结的方法是由B·J·伯克特设计研发完成，并于2017-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造约瑟夫森结的方法在说明书摘要公布了：一种减少使用两步沉积工艺制造的量子信息处理器件中的结的结电阻变化的方法。在一个方面，一种方法包括：提供电介质基板208；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层210；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层212；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层214。第一抗蚀剂层包括延伸穿过第一抗蚀剂层的厚度的第一开口216，第二抗蚀剂层包括在第一开口之上对准并延伸穿过第二抗蚀剂层的厚度的第二开口218，第三抗蚀剂层包括在第二开口之上对准并延伸穿过第三抗蚀剂层的厚度的第三开口220。

本发明授权制造约瑟夫森结的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 提供电介质基板和在所述电介质基板的表面上的多层抗蚀剂结构， 其中所述多层抗蚀剂结构包括第一光致抗蚀剂层、第二光致抗蚀剂层和第三光致抗蚀剂层，所述第一光致抗蚀剂层包括延伸穿过所述第一光致抗蚀剂层的厚度的第一开口，所述第二光致抗蚀剂层包括在所述第一开口之上对准并延伸穿过所述第二光致抗蚀剂层的厚度的第二开口，所述第三光致抗蚀剂层包括在所述第二开口之上对准并延伸穿过所述第三光致抗蚀剂层的厚度的第三开口， 其中所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每个的厚度沿着垂直于所述电介质基板的所述表面的第一方向延伸， 所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的每个具有沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的对应宽度， 所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度且小于所述第三开口的宽度，以及 提供所述多层抗蚀剂结构包括： 将所述第二光致抗蚀剂层形成在所述第一光致抗蚀剂层上以与所述第一光致抗蚀剂层直接接触， 将所述第三光致抗蚀剂层形成在所述第二光致抗蚀剂层上以与所述第二光致抗蚀剂层直接接触， 通过包括第一曝光剂量的第一图案化步骤将与所述第二开口对应的特征限定到所述第一光致抗蚀剂层、所述第二光致抗蚀剂层和所述第三光致抗蚀剂层中，以及 通过包括第二曝光剂量的第二图案化步骤将与所述第一开口和所述第三开口对应的特征分别限定到所述第一光致抗蚀剂层和所述第三光致抗蚀剂层中，所述第二曝光剂量低于所述第一曝光剂量。

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