三星电子株式会社金炫助获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111180327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911087858.5，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权制造半导体装置的方法是由金炫助;朴世玩设计研发完成，并于2019-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在下结构的第一区上形成第一牺牲核并在下结构的第二区上形成第二牺牲核；在第一牺牲核的侧壁上形成第一间隔件并在第二牺牲核的侧壁上形成第二间隔件；形成覆盖下结构的第二区上的第二间隔件和第二牺牲核的保护图案；从第一区去除第一牺牲核；以及利用第一区上的第一间隔件和第二区上的第二牺牲核和第二间隔件蚀刻下结构。
本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤： 在下结构的第一区上形成第一牺牲核并在所述下结构的第二区上形成第二牺牲核，所述第一牺牲核和所述第二牺牲核的宽度相同； 在所述第一牺牲核的侧壁上形成第一间隔件并在所述第二牺牲核的侧壁上形成第二间隔件； 形成覆盖位于所述下结构的第二区上的第二间隔件和第二牺牲核的保护图案； 从所述第一区去除所述第一牺牲核；以及利用所述第一区上的第一间隔件以及所述第二区上的第二牺牲核和第二间隔件蚀刻所述下结构，以在所述第一区中形成具有第一宽度的第一有源区，并在所述第二区中形成具有第二宽度的第二有源区，所述第二宽度大于所述第一宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号