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龙图腾网获悉江阴长电先进封装有限公司申请的专利一种芯片的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111370388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010316008.4，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法是由陈栋;成炎炎;胡震;陈锦辉;张国栋设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其芯片本体100的有源表面和芯片电极101的上表面设置有保护层200，所述保护层200在芯片电极101上方开设保护层开口201，所述保护层开口201内设置金属凸块300，所述金属凸块300通过保护层开口201与芯片电极101连接；所述芯片本体100的背面依次设置有粘附层601、种子层602，所述粘附层601覆盖芯片本体100的背面；所述种子层602的下表面依次设置背金块600和石墨烯层610，所述包覆层700包覆背金块600裸露面，并向上延展至粘附层601的下表面的四周边缘。本发明能够有效地克服晶圆翘曲及碎片、降低划片难度、解决封装成品产生的翘曲及碎裂等问题。

本发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装结构的封装方法，工艺步骤如下： 步骤一、提供一晶圆10A，晶圆10A上设有横向和纵向交织的划片道900将其划分为复数颗阵列排布的芯片单元10B，芯片单元10B的芯片本体100的有源表面设置有芯片电极101； 步骤二、通过光刻的方法，在晶圆10A的表面选择性的形成保护层200，并开设保护层开口201露出芯片电极101的上表面； 步骤三、依次通过溅射、光刻、电镀、去胶及腐蚀的方法，在保护层开口201内形成金属凸块300，与芯片电极101形成互联； 步骤四、通过键合的方法，用键合胶400将载片500与晶圆10A键合在一起，键合方法通常为将键合胶400涂敷或压合在晶圆10A表面，然后与载片500在压力、温度、真空的作用下粘合到一起； 步骤五、通过磨片的方法，对晶圆10A的芯片本体100的背面进行减薄，磨片后通过化学腐蚀改变芯片本体100的微观形貌； 步骤六、通过溅射的方法，依次在晶圆10A背面沉积粘附层601及种子层602； 步骤七、通过光刻的方法，在晶圆上形成光刻胶层603，并形成阵列状的光刻胶层开口604，然后通过电镀的方法，在光刻胶层开口604内电镀沉积背金块600，并形成有间隔的背金块阵列； 步骤八、再在背金块阵列的背面喷涂石墨烯，形成石墨烯层610； 步骤九、通过有机溶液去除光刻胶层603，通过酸性溶液腐蚀掉种子层602，形成金属开口，同时保留粘附层601不被腐蚀，以确保所述种子层602及所述背金块600与所述芯片本体100之间有完整的扩散阻挡层； 步骤十、通过压膜、印刷或包封的方法，使包覆层700包覆所述种子层602、背金块600的裸露面和所述石墨烯层610，并填充金属开口； 步骤十一、通过解键合的方法，将载片500与晶圆10A分离，并且去除键合胶400； 步骤十二、通过划片的方法，沿划片道900将晶圆10A划成芯片封装结构，所述包覆层700暴露出所述粘附层601的侧面。

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